专家传真-中国半导体业上演本土配套和进口替代黄金交叉
行业已成为中国国家战略优先发展的产业,加上积体电路是「中国製造2025」未来产业智慧化的核心,因此反映中国半导体业的核心地位日益显着。而因2016年正处于行业上升週期与国家政策扶持週期叠加共振之中,故中国半导体业整体景气仍持续向上,特别是在国家战略和市场机制的结合下,中国半导体业将可望达到重点突破和整体水準提升的目标,预计中国国家积体电路产业投资基金(大基金)投资佈局将从面覆盖朝向点突破来作转变,同时工作重心将从注重投资转为上下游供应链同步并重的方向来走。另外2016年中国半导体产业发展将以政府大力扶植自主创新、超越摩尔定律、记忆体为发展重点等为主轴,就整体市场变动来看,本土配套和进口替代的黄金交叉正在上演。
首先,在政府大力扶植自主创新方面,在中国积体电路已有一定的发展基础后,提倡技术或规格的自主创新将是行业发展必经之路,毕竟从过去联想与华为两家公司的经营成效可知,联想选择模仿和购併的发展模式,华为选择自主创新的策略,后来华为发展远快于联想,显示中国半导体行业将从跟随战略转向创新跨越,在全球产业创新链中形成自己的特色。
其次在超越摩尔定律方面,主要是基于物联网的发展,MEMS与积体电路的融合将是趋势,甚至未来半导体产业驱动模式将从过去技术驱动转变为技术集成、产业链生态体系整合驱动的模式。
中国半导体行业在2016年将以记忆体为发展重点,最主要是记忆体与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域,况且记忆体市场的仍具成长潜力,特别是中国切入记忆体市场更有其优势,包括进口替代空间大、产业转移、政策大力支持等,而预计2016年武汉新芯、同方国芯、兆基科技(合肥Elpida)将携手挑起中国记忆体产业的发展大樑,填补最为空白的领域。
其中,同方国芯于2015年11月宣佈定向增资800亿元人民币,主要佈局Nand Flash相关的技术与专利、製造工艺等,包括记忆体晶片工厂的建立、收购力成与南茂25%股权、产业链上下游的收购等;尔后2016年3月底武汉新芯举行东湖记忆体项目动工仪式,该专案由国家积体电路产业投资基金(大基金)、湖北省积体电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出资建设,专案总投资将达240亿美元,未来投入将以3D NAND Flash产品为主,预计产能可望达30万片,目标最快2018年年初开始生产;至于合肥政府携手尔必达460亿人民币建10万片/月低功耗记忆体晶圆厂,2018年下半年量产。
事实上,中国企业在佈局记忆体产业优先选择3D NAND Flash而不是DRAM,最主要是由于NAND Flash未来市场成长性优于DRAM,特别是在传统硬碟转向固态硬碟的趋势显着、数据中心建设等环境带动下,未来NAND Flash的用量将快速提升,加上NAND Flash适逢技术由平面NAND Flash技术架构转至3D NAND Flash之时,给予中国业者切入发展的契机。
整体而言,虽然受到中国经济成长趋缓的影响,使得2015年、2016年中国积体电路市场规模呈现增长减缓的格局,不过整体增幅分别为6.07%、5.49%仍是高于全球的水準,最主要是受惠于全球半导体产业转移至中国态势显着,加上中国国家政策扶持态度坚定,使得生产与融资环境趋于完善,且结构深度也加速调整,更何况中国积体电路产业的进口替代空间超过2,000亿美元/年,此为其他电子产品难以复製,意谓中国半导体业正适逢本土配套和进口替代黄金机遇期。
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