随着大量4nm工艺芯片产品面市，3nm也正式进入到即将量产的阶段，并且已经有不少厂商开始部署有关于2nm工艺的相关工作，芯片即将进入突破极限工艺的发展阶段。

　　今日，据相关人士透露，台积电将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NA EUV），为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。

　　据悉，High-NA EUV光刻设备的单价估计约为28亿元人民币，是现有EUV光刻设备的两三倍。

　　除台积电外，三星和英特尔也在积极的寻求2nm工艺实现方法，九游 - 9游 体育官网并且已经有所行动。

　　据相关媒体之前的报道可知，三星电子此前与ASML公司就引进该荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外（EUV）光刻设备进行了会谈，并就引进今年生产的EUV光刻设备和计划于明年推出的高数值孔径EUV光刻设备达成了协议。

　　今年早些时候，英特尔也宣布已签署合同购买5台这种设备，用于在2025年生产1.8纳米芯片。

　　据前几日报道，台积电已经公布相关制程工艺的时间计划，2nm制程将于2025年量产，并且就现在的进度来看，有望领先其竞争对手三星和英特尔。

　　除2nm制程工艺外，3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产，2nm预计于2025年量产。

　　据悉，台积电2nm将首次采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功耗下频率可提升10%至15%；在相同频率下，功耗降低25%至30%。

　　此前消息称，虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，鳍片 (Fin) 宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以相关人士预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。

　　作为芯片制造领域目前的极限，2nm工艺可以带来更强的性能和更好的能耗比表现，感兴趣的消费者可以对相关技术工艺报道保持关注。