9游 九游体育金融界2024年8月28日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号 CN5.1 ，申请日期为 2024 年 4 月。

　　专利摘要显示，各个实施例包括堆叠晶体管和形成堆叠晶体管的方法。在实施例中，器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，位于第一纳米结构之上；第一栅极结构，沿第一纳米结构的顶面和底面延伸；以及第二栅极结构，沿第二纳米结构的顶面和底面延伸。第一栅极结构设置在第一纳米结构的第一侧和第二纳米结构的第一侧处。第二栅极结构设置在第一纳米结构的第二侧和第二纳米结构的第二侧处。第一纳米结构的第二侧与第一纳米结构的第一侧相对。第二纳米结构的第二侧与第二纳米结构的第一侧相对。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

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