台积电申请半导体结构及其形成方法专利形成半导体结构
金融界 2024 年 9 月 13 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“,公开号 CN2.5,申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示,提供了半导体结构。半导体结构包括:功能单元区域,包括 n 型功能晶体管和 p 型功能晶体管。半导体结构也包括:第一电源传输单元区域,包括第一切割部件和位于第一切割部件中的第一接触轨。半导体结构也包括:第一电源轨,电连接至 p 型功能晶体管的源极端子和第一电源传输单元区域的第一接触轨。半导体结构也包括:第二电源传输单元区域,与第一电源传输单元相邻并且包括第二切割部件和位于第二切割部件中的第二接触轨。半导体结构也包括:绝缘带,在第一方向上从第一切割部件延伸至第二切割部件。本申请的实施例还涉及用于形成半导体结构的方法。
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