台积电将14nm更名A14预计在2027-2028年实现量产
ictimes消息，在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上，台积电透露了其1.4nm级制造技术的顺利进展，标志着先进半导体制程的不断推进。被命名为A14的这一生产节点展示了台积电在纳米级技术领域的引领地位。预计，基于2nm级制造工艺的量产将于2025年实现，进一步巩固了台积电在芯片制造领域的领先地位。
尽管A14的具体量产时程和规格尚未披露，但有分析认为，考虑到N2计划和N2P计划的时间表，A14可能在2027-2028年之间推出。这一节点的到来将为半导体行业带来更先进的芯片技术，为未来的电子产品提供更高性能和更低功耗的解决方案。
值得关注的是，台积电在A14工艺中是否会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CEFT）结构，或者延续2nm制程所采用的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）仍然未知。这一决定将直接影响芯片的性能和功耗特性，对行业产生深远影响。
另一个需要关注的因素是，台积电是否会在A14工艺中采用高数值孔径EUV光刻机。随着英特尔等竞争对手计划采用并完善数值孔径为0.55的下一代EUV光刻机，高数值孔径的应用将为芯片设计者和制造商带来额外的挑战。这也提醒着行业需要在技术创新和应用过程中平衡性能提升和制造复杂度的关系，以确保顺利实现半导体技术的进步。
